0 0 0
  5. BTA201-800E,412

Симистори BTA201-800E,412

 
BTA201-800E,412
 
WeEn Semiconductors
Артикул: 497343
Симистор; 800В; 1А; TO92; Igt: 10мА; Ifsm: 12,5А; 3Q,Hi-Com
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
17.99 грн
10+
16.25 грн
30+
14.43 грн
76+
12.92 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
WeEn Semiconductors(1242)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO92(1440599)
Зворотна напруга макс.
0,8кВ(1644523)
Струм провідності макс.
1А(1440126)
Струм вентиля
10мА(1441329)
Струм в імпульсі макс.
12,5А(1488368)
Вид упаковки
розсипний(1437815)
Властивості напівпровідникових елементів
sensitive gate(1740167)
Технологія
3Q(1740538) Hi-Com(1740539)
Type of thyristor
симистор(1854719)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Симистори BTA201-800E,412
WeEn Semiconductors
Артикул: 497343
Симистор; 800В; 1А; TO92; Igt: 10мА; Ifsm: 12,5А; 3Q,Hi-Com
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
17.99 грн
10+
16.25 грн
30+
14.43 грн
76+
12.92 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
WeEn Semiconductors
Монтаж
THT
Корпус
TO92
Зворотна напруга макс.
0,8кВ
Струм провідності макс.
1А
Струм вентиля
10мА
Струм в імпульсі макс.
12,5А
Вид упаковки
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів
sensitive gate
Технологія
3Q
Технологія
Hi-Com
Type of thyristor
симистор
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g