0 0 0
  5. BTA312B-600E,118

Симистори BTA312B-600E,118

 
BTA312B-600E,118
 
WeEn Semiconductors
Артикул: 497421
Симистор; 600В; 12А; D2PAK; Igt: 10мА; Ifsm: 100А; 3Q,Hi-Com
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
55.77 грн
3+
38.00 грн
10+
34.26 грн
30+
30.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
WeEn Semiconductors(1242)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Зворотна напруга макс.
0,6кВ(1644524)
Струм провідності макс.
12А(1440169)
Струм вентиля
10мА(1441329)
Струм в імпульсі макс.
100А(1440667)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
sensitive gate(1740167)
Технологія
3Q(1740538) Hi-Com(1740539)
Type of thyristor
симистор(1854719)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Симистори BTA312B-600E,118
WeEn Semiconductors
Артикул: 497421
Симистор; 600В; 12А; D2PAK; Igt: 10мА; Ifsm: 100А; 3Q,Hi-Com
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
55.77 грн
3+
38.00 грн
10+
34.26 грн
30+
30.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
WeEn Semiconductors
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Зворотна напруга макс.
0,6кВ
Струм провідності макс.
12А
Струм вентиля
10мА
Струм в імпульсі макс.
100А
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
sensitive gate
Технологія
3Q
Технологія
Hi-Com
Type of thyristor
симистор
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g