0 0 0
  5. BTA410Y-600ET,127

Симистори BTA410Y-600ET,127

 
BTA410Y-600ET,127
 
WeEn Semiconductors
Артикул: 497448
Симистор; 600В; 10А; TO220AB; Igt: 10мА; Ifsm: 100А; 3Q,Hi-Com
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.15 грн
3+
57.76 грн
10+
51.09 грн
22+
46.88 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
WeEn Semiconductors(1242)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Зворотна напруга макс.
0,6кВ(1644524)
Струм провідності макс.
10А(1441335)
Струм вентиля
10мА(1441329)
Струм в імпульсі макс.
100А(1440667)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
sensitive gate(1740167) high temperature(1740351)
Технологія
3Q(1740538) Hi-Com(1740539)
Type of thyristor
симистор(1854719)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Симистори BTA410Y-600ET,127
WeEn Semiconductors
Артикул: 497448
Симистор; 600В; 10А; TO220AB; Igt: 10мА; Ifsm: 100А; 3Q,Hi-Com
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.15 грн
3+
57.76 грн
10+
51.09 грн
22+
46.88 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
WeEn Semiconductors
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Зворотна напруга макс.
0,6кВ
Струм провідності макс.
10А
Струм вентиля
10мА
Струм в імпульсі макс.
100А
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
sensitive gate
Властивості напівпровідникових елементів
high temperature
Технологія
3Q
Технологія
Hi-Com
Type of thyristor
симистор
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g