0 0 0
  5. BTA425Z-800CTQ

Симистори BTA425Z-800CTQ

 
BTA425Z-800CTQ
 
WeEn Semiconductors
Артикул: 628057
Симистор; 800В; 25А; SOT1292,TO3P; Igt: 35мА; Ifsm: 250А; 3Q,Hi-Com
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
137.45 грн
5+
123.15 грн
11+
94.55 грн
30+
89.78 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
WeEn Semiconductors(1242)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3P(1440948) SOT1292(1887621)
Зворотна напруга макс.
0,8кВ(1644523)
Струм провідності макс.
25А(1440617)
Струм вентиля
35мА(1441328)
Струм в імпульсі макс.
250А(1501658)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
sensitive gate(1740167) high temperature(1740351)
Технологія
3Q(1740538) Hi-Com(1740539)
Type of thyristor
симистор(1854719)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Симистори BTA425Z-800CTQ
WeEn Semiconductors
Артикул: 628057
Симистор; 800В; 25А; SOT1292,TO3P; Igt: 35мА; Ifsm: 250А; 3Q,Hi-Com
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
137.45 грн
5+
123.15 грн
11+
94.55 грн
30+
89.78 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
WeEn Semiconductors
Монтаж
THT
Корпус
TO3P
Корпус
SOT1292
Зворотна напруга макс.
0,8кВ
Струм провідності макс.
25А
Струм вентиля
35мА
Струм в імпульсі макс.
250А
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
sensitive gate
Властивості напівпровідникових елементів
high temperature
Технологія
3Q
Технологія
Hi-Com
Type of thyristor
симистор
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g