0 0 0
  8. WNSC2M40120R6Q

Транзистори з каналом N THT WNSC2M40120R6Q

 
WNSC2M40120R6Q
 
WeEn Semiconductors
Артикул: 827908
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 52А; Idm: 100А; 405Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 254.59 грн
2+
897.73 грн
3+
896.93 грн
4+
848.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
WeEn Semiconductors(1242)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
52А(1599488)
Опір в стані провідності
55мОм(1441323)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
405Вт(1742104)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
19нКл(1479054)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-12...22В(1981596)
Струм стоку в імпульсі
100А(1758515)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори з каналом N THT WNSC2M40120R6Q
WeEn Semiconductors
Артикул: 827908
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 52А; Idm: 100А; 405Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 254.59 грн
2+
897.73 грн
3+
896.93 грн
4+
848.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
WeEn Semiconductors
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
52А
Опір в стані провідності
55мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
405Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
19нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-12...22В
Струм стоку в імпульсі
100А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g