Симистори Z0109NN0,135

 
Z0109NN0,135
 
Артикул: 628037
Симистор; 800В; 1А; SOT223; Igt: 10мА; Ifsm: 12,5А; 4Q
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
20.10 грн
25+
10.33 грн
100+
9.30 грн
131+
7.73 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 2582 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
WeEn Semiconductors(1242)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Зворотна напруга макс.
0,8кВ(1644523)
Струм провідності макс.
(1440126)
Струм вентиля
10мА(1441329)
Струм в імпульсі макс.
12,5А(1488368)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
sensitive gate(1740167)
Технологія
4Q(1740536)
Type of thyristor
симистор(1854719)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,138 g
 
Симистори Z0109NN0,135
WeEn Semiconductors
Артикул: 628037
Симистор; 800В; 1А; SOT223; Igt: 10мА; Ifsm: 12,5А; 4Q
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
20.10 грн
25+
10.33 грн
100+
9.30 грн
131+
7.73 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 2582 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
WeEn Semiconductors
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Зворотна напруга макс.
0,8кВ
Струм провідності макс.
Струм вентиля
10мА
Струм в імпульсі макс.
12,5А
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
sensitive gate
Технологія
4Q
Type of thyristor
симистор
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,138 g