0 0 0
  8. C3M0120090J

Транзистори з каналом N SMD C3M0120090J

 
C3M0120090J
 
Wolfspeed(CREE)
Артикул: 075856
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 900В; 22А; 83Вт; D2PAK-7; 24нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
916.16 грн
2+
697.62 грн
4+
659.51 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 144 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
Wolfspeed(CREE)(1214)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK-7(1479506)
Час готовності
24нс(1694886)
Напруга сток-джерело
900В(1441403)
Струм стока
22А(1441302)
Опір в стані провідності
0,12Ом(1492377)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
83Вт(1702256)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
17,3нКл(1607622)
Технологія
SiC(1591568) C3M™(1667437)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-8...19В(1981127)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,382 g
 
Транзистори з каналом N SMD C3M0120090J
Wolfspeed(CREE)
Артикул: 075856
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 900В; 22А; 83Вт; D2PAK-7; 24нс
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
916.16 грн
2+
697.62 грн
4+
659.51 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 144 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
Wolfspeed(CREE)
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK-7
Час готовності
24нс
Напруга сток-джерело
900В
Струм стока
22А
Опір в стані провідності
0,12Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
83Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
17,3нКл
Технологія
SiC
Технологія
C3M™
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-8...19В
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,382 g