0 0 0
  8. YJ2N65CZ

Транзистори з каналом N THT YJ2N65CZ

 
YJ2N65CZ
 
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 444337
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2А; Idm: 8А; 54Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
20.42 грн
25+
13.75 грн
100+
12.40 грн
103+
9.85 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
YANGJIE TECHNOLOGY(1317)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
2А(1441386)
Опір в стані провідності
4,7Ом(1633248)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
54Вт(1608403)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
14нКл(1479029)
Товщина радіатора
макс. 1,33мм(1827083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
8А(1709892)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT YJ2N65CZ
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 444337
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2А; Idm: 8А; 54Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
20.42 грн
25+
13.75 грн
100+
12.40 грн
103+
9.85 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
YANGJIE TECHNOLOGY
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
2А
Опір в стані провідності
4,7Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
54Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
14нКл
Товщина радіатора
макс. 1,33мм
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
8А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g