0 0 0
  8. YJ4N65CZ

Транзистори з каналом N THT YJ4N65CZ

 
YJ4N65CZ
 
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 444341
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 4А; Idm: 16А; 100Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
20.10 грн
25+
16.13 грн
87+
11.60 грн
239+
10.97 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
YANGJIE TECHNOLOGY(1317)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
4А(1441365)
Опір в стані провідності
2,6Ом(1441376)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
100Вт(1701916)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
20нКл(1479267)
Товщина радіатора
макс. 1,33мм(1827083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
16А(1741678)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT YJ4N65CZ
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 444341
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 4А; Idm: 16А; 100Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
20.10 грн
25+
16.13 грн
87+
11.60 грн
239+
10.97 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
YANGJIE TECHNOLOGY
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
4А
Опір в стані провідності
2,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
100Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
20нКл
Товщина радіатора
макс. 1,33мм
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
16А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g