0 0 0
  8. YJB150G06AK

Транзистори з каналом N SMD YJB150G06AK

 
YJB150G06AK
 
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 1150888
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; польовий; 60В; 95А; 59Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
51.94 грн
10+
47.22 грн
25+
39.35 грн
37+
27.55 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
YANGJIE TECHNOLOGY(1317)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
95А(1479477)
Опір в стані провідності
4,8мОм(1479248)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
59Вт(1520841)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
71нКл(1479435)
Технологія
SPLIT GATE TRENCH(1741657)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
450А(1797078)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD YJB150G06AK
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 1150888
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; польовий; 60В; 95А; 59Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
51.94 грн
10+
47.22 грн
25+
39.35 грн
37+
27.55 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
YANGJIE TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
95А
Опір в стані провідності
4,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
59Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
71нКл
Технологія
SPLIT GATE TRENCH
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
450А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g