Транзистори з каналом N SMD YJG70G06A

 
YJG70G06A
 
Артикул: 530432
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; польовий; 60В; 44А; 28Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
27.49 грн
25+
24.71 грн
55+
18.91 грн
145+
17.88 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
YANGJIE TECHNOLOGY(1317)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN5060-8(1741660)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
44А(1479353)
Опір в стані провідності
9,5мОм(1479384)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
28Вт(1520807)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
34нКл(1479140)
Технологія
SPLIT GATE TRENCH(1741657)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
210А(1789202)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD YJG70G06A
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 530432
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; польовий; 60В; 44А; 28Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
27.49 грн
25+
24.71 грн
55+
18.91 грн
145+
17.88 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
YANGJIE TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
DFN5060-8
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
44А
Опір в стані провідності
9,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
28Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
34нКл
Технологія
SPLIT GATE TRENCH
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
210А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g