0 0 0
  8. YJG80G06A

Транзистори з каналом N SMD YJG80G06A

 
YJG80G06A
 
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 077756
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; польовий; 60В; 50А; 38Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
71.78 грн
5+
35.41 грн
25+
31.90 грн
40+
25.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 5845 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
YANGJIE TECHNOLOGY(1317)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN5060-8(1741660)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
50А(1441504)
Опір в стані провідності
5мОм(1479249)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
38Вт(1449556)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
67нКл(1643344)
Технологія
SPLIT GATE TRENCH(1741657)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
320А(1741662)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,134 g
 
Транзистори з каналом N SMD YJG80G06A
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 077756
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; польовий; 60В; 50А; 38Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
71.78 грн
5+
35.41 грн
25+
31.90 грн
40+
25.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 5845 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
YANGJIE TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
DFN5060-8
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
50А
Опір в стані провідності
5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
38Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
67нКл
Технологія
SPLIT GATE TRENCH
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
320А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,134 g