Транзистори з каналом P SMD YJQ4666B

 
YJQ4666B
 
Артикул: 141025
Транзистор: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; польовий; -16В; -5,6А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
20+
6.13 грн
100+
4.72 грн
270+
3.75 грн
730+
3.55 грн
Мін. замовлення: 20
Кратність: 10
Кількість: 3220 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
YANGJIE TECHNOLOGY(1317)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN2020-6(1741679)
Напруга сток-джерело
-16В(1501016)
Струм стока
-5,6А(1492374)
Опір в стані провідності
60мОм(1441262)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
2,2Вт(1449547)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
7,2нКл(1479371)
Технологія
TRENCH POWER LV(1741655)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-28А(1741683)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,02 g
 
Транзистори з каналом P SMD YJQ4666B
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 141025
Транзистор: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; польовий; -16В; -5,6А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
20+
6.13 грн
100+
4.72 грн
270+
3.75 грн
730+
3.55 грн
Мін. замовлення: 20
Кратність: 10
Кількість: 3220 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
YANGJIE TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
DFN2020-6
Напруга сток-джерело
-16В
Струм стока
-5,6А
Опір в стані провідності
60мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
2,2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
7,2нКл
Технологія
TRENCH POWER LV
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-28А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,02 g