Транзистори з каналом N SMD YJS05N15B

 
YJS05N15B
 
Артикул: 077772
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; польовий; 150В; 2,9А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
22.09 грн
25+
19.70 грн
67+
14.67 грн
184+
13.80 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
YANGJIE TECHNOLOGY(1317)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOP8(1459282)
Напруга сток-джерело
150В(1441538)
Струм стока
2,9А(1492567)
Опір в стані провідності
75мОм(1479133)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
3,1Вт(1449545)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
11,6нКл(1790314)
Технологія
SPLIT GATE TRENCH(1741657)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
35А(1789211)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD YJS05N15B
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 077772
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; польовий; 150В; 2,9А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
22.09 грн
25+
19.70 грн
67+
14.67 грн
184+
13.80 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
YANGJIE TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
SOP8
Напруга сток-джерело
150В
Струм стока
2,9А
Опір в стані провідності
75мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
3,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
11,6нКл
Технологія
SPLIT GATE TRENCH
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
35А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g