0 0 0
  8. YJS12G06A

Транзистори з каналом N SMD YJS12G06A

 
YJS12G06A
 
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 077773
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; польовий; 60В; 7,5А; SOP8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.68 грн
25+
13.15 грн
99+
10.20 грн
270+
9.64 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
YANGJIE TECHNOLOGY(1317)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOP8(1459282)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
7,5А(1441286)
Опір в стані провідності
13мОм(1479176)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,24Вт(1742061)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
31нКл(1479192)
Технологія
SPLIT GATE TRENCH(1741657)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
48А(1741686)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD YJS12G06A
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 077773
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; польовий; 60В; 7,5А; SOP8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.68 грн
25+
13.15 грн
99+
10.20 грн
270+
9.64 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
YANGJIE TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
SOP8
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
7,5А
Опір в стані провідності
13мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,24Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
31нКл
Технологія
SPLIT GATE TRENCH
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
48А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g