0 0 0
  8. SI1012R-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI1012R-T1-GE3

 
SI1012R-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 077365
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,35А; 0,08Вт; SC75A
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
24.96 грн
25+
22.41 грн
56+
18.03 грн
153+
16.99 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 1855 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC75A(1492398)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
0,35А(1633294)
Сопротивление в открытом состоянии
0,7Ом(1492263)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
80мВт(1512443)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
0,75нC(1737207)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI1012R-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 077365
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,35А; 0,08Вт; SC75A
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
24.96 грн
25+
22.41 грн
56+
18.03 грн
153+
16.99 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 1855 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SC75A
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
0,35А
Сопротивление в открытом состоянии
0,7Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
80мВт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
0,75нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g