0 0 0
  8. SI1024X-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI1024X-T1-GE3

 
SI1024X-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 959648
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 515мА; 280мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
37.31 грн
10+
32.63 грн
25+
25.16 грн
63+
16.19 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563(1596494) SC89(1492549)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
515мА(1985948)
Сопротивление в открытом состоянии
1,25Ом(1441390)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,28Вт(1742034)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
0,75нC(1737207)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,65А(1811171)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI1024X-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 959648
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 515мА; 280мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
37.31 грн
10+
32.63 грн
25+
25.16 грн
63+
16.19 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563
Корпус
SC89
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
515мА
Сопротивление в открытом состоянии
1,25Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,28Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
0,75нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,65А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g