0 0 0
  7. SI1902DL-T1-GE3

Транзисторы многоканальные SI1902DL-T1-GE3

 
SI1902DL-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 740012
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 660мА; Idm: 1А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
26.82 грн
25+
24.11 грн
49+
20.33 грн
134+
19.24 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC70(1453575)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
0,66А(1702148)
Сопротивление в открытом состоянии
630мкОм(1950988)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,27Вт(1741779)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
0,8нC(1642903)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1А(1709878)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы многоканальные SI1902DL-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 740012
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 660мА; Idm: 1А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
26.82 грн
25+
24.11 грн
49+
20.33 грн
134+
19.24 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SC70
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
0,66А
Сопротивление в открытом состоянии
630мкОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,27Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
0,8нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g