0 0 0
  8. SI2308BDS-T1-E3

Транзисторы с каналом N SMD SI2308BDS-T1-E3

 
SI2308BDS-T1-E3
 
VISHAY
Артикул: 405702
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,3А; Idm: 8А; 1,06Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
20.08 грн
25+
18.26 грн
73+
13.99 грн
199+
13.22 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2261 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
2,3А(1441508)
Сопротивление в открытом состоянии
156мОм(1811022)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,06Вт(1741763)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
6,8нC(1479391)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
8А(1709892)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,029 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI2308BDS-T1-E3
VISHAY
Артикул: 405702
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,3А; Idm: 8А; 1,06Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
20.08 грн
25+
18.26 грн
73+
13.99 грн
199+
13.22 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2261 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
2,3А
Сопротивление в открытом состоянии
156мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,06Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
6,8нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,029 g