0 0 0
  8. SI2333DS-T1-E3

Транзисторы с каналом P SMD SI2333DS-T1-E3

 
SI2333DS-T1-E3
 
VISHAY
Артикул: 953684
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,3А; Idm: -20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
60.56 грн
10+
52.75 грн
25+
46.22 грн
31+
31.95 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2965 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-12В(1478988)
Ток стока
-5,3А(1479053)
Сопротивление в открытом состоянии
59мОм(1479368)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
18нC(1479041)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-20А(1741687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,029 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI2333DS-T1-E3
VISHAY
Артикул: 953684
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,3А; Idm: -20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
60.56 грн
10+
52.75 грн
25+
46.22 грн
31+
31.95 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2965 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-12В
Ток стока
-5,3А
Сопротивление в открытом состоянии
59мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
18нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,029 g