0 0 0
  8. SI2392ADS-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI2392ADS-T1-GE3

 
SI2392ADS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 959650
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
34.93 грн
10+
31.91 грн
25+
26.11 грн
68+
15.00 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
3,1А(1441251)
Сопротивление в открытом состоянии
126мОм(1805228)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
10,4нC(1479138)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
8А(1709892)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI2392ADS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 959650
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
34.93 грн
10+
31.91 грн
25+
26.11 грн
68+
15.00 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
3,1А
Сопротивление в открытом состоянии
126мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
10,4нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g