0 0 0
  8. SI4435FDY-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI4435FDY-T1-GE3

 
SI4435FDY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 725809
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12,6А; Idm: -32А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
33.38 грн
10+
26.54 грн
50+
18.92 грн
70+
14.23 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1503 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-12,6А(1600700)
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм(1441278)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
4,8Вт(1785124)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
28нC(1479173)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-32А(1741684)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,165 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI4435FDY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 725809
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12,6А; Idm: -32А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
33.38 грн
10+
26.54 грн
50+
18.92 грн
70+
14.23 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1503 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-12,6А
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
4,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
28нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-32А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,165 g