0 0 0
  8. SI4835DDY-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI4835DDY-T1-GE3

 
SI4835DDY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405847
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13А; Idm: -50А; 3,6Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
67.47 грн
5+
41.59 грн
25+
36.75 грн
29+
35.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 697 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-13А(1479000)
Сопротивление в открытом состоянии
18мОм(1441559)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
3,6Вт(1487310)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
65нC(1479501)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-50А(1810523)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,165 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI4835DDY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405847
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13А; Idm: -50А; 3,6Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
67.47 грн
5+
41.59 грн
25+
36.75 грн
29+
35.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 697 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-13А
Сопротивление в открытом состоянии
18мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
3,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
65нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-50А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,165 g