0 0 0
  8. SI4948BEY-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI4948BEY-T1-GE3

 
SI4948BEY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405849
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,4А; Idm: -25А; 0,95Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
60.61 грн
5+
42.91 грн
25+
37.24 грн
31+
31.90 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 949 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-60В(1492224)
Ток стока
-2,4А(1492272)
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом(1492377)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,95Вт(1742059)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
22нC(1479158)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-25А(1810550)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,115 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI4948BEY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405849
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,4А; Idm: -25А; 0,95Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
60.61 грн
5+
42.91 грн
25+
37.24 грн
31+
31.90 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 949 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-60В
Ток стока
-2,4А
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,95Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
22нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-25А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,115 g