0 0 0
  8. SI7155DP-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI7155DP-T1-GE3

 
SI7155DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 952521
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -100А; Idm: -200А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
145.82 грн
9+
113.95 грн
24+
107.57 грн
25+
106.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
-40В(1441467)
Ток стока
-100А(1600691)
Сопротивление в открытом состоянии
4,6мОм(1478952)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
104Вт(1520829)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
330нC(1643343)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-200А(1810493)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI7155DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 952521
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -100А; Idm: -200А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
145.82 грн
9+
113.95 грн
24+
107.57 грн
25+
106.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
-40В
Ток стока
-100А
Сопротивление в открытом состоянии
4,6мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
104Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
330нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-200А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g