0 0 0
  8. SI7615CDN-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI7615CDN-T1-GE3

 
SI7615CDN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 140932
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; 21,1Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
60.61 грн
5+
27.28 грн
25+
23.93 грн
48+
20.42 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-35А(1733903)
Сопротивление в открытом состоянии
20,3мОм(1632968)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
21,1Вт(1741776)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
111нC(1733907)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI7615CDN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 140932
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; 21,1Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
60.61 грн
5+
27.28 грн
25+
23.93 грн
48+
20.42 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-35А
Сопротивление в открытом состоянии
20,3мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
21,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
111нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g