0 0 0
  8. SIDR5802EP-T1-RE3

Транзисторы с каналом N SMD SIDR5802EP-T1-RE3

 
SIDR5802EP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 847108
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 153А; Idm: 300А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
127.40 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
153А(1829663)
Сопротивление в открытом состоянии
4мОм(1479261)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
150Вт(1701910)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
60нC(1479310)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
300А(1714520)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIDR5802EP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 847108
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 153А; Idm: 300А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
127.40 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
153А
Сопротивление в открытом состоянии
4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
150Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
60нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
300А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g