0 0 0
  8. SIHB120N60E-T5-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHB120N60E-T5-GE3

 
SIHB120N60E-T5-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778633
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; Idm: 66А; 179Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
416.60 грн
4+
299.51 грн
10+
282.78 грн
800+
271.63 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
16А(1441522)
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом(1492377)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
179Вт(1741798)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
45нC(1609966)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
66А(1742462)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHB120N60E-T5-GE3
VISHAY
Артикул: 778633
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; Idm: 66А; 179Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
416.60 грн
4+
299.51 грн
10+
282.78 грн
800+
271.63 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
16А
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
179Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
45нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
66А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g