0 0 0
  8. SIHD1K4N60E-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHD1K4N60E-GE3

 
SIHD1K4N60E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778290
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,6А; Idm: 5А; 63Вт; DPAK,TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
70.98 грн
5+
63.80 грн
20+
51.04 грн
54+
47.85 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
2,6А(1479113)
Сопротивление в открытом состоянии
1,45Ом(1617606)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
63Вт(1520822)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
7,5нC(1609772)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
5А(1790204)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHD1K4N60E-GE3
VISHAY
Артикул: 778290
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,6А; Idm: 5А; 63Вт; DPAK,TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
70.98 грн
5+
63.80 грн
20+
51.04 грн
54+
47.85 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
2,6А
Сопротивление в открытом состоянии
1,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
63Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
7,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
5А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g