Транзисторы с каналом N THT SIHG17N80AE-GE3

 
SIHG17N80AE-GE3
 
Артикул: 780410
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10А; Idm: 32А; 179Вт; TO247AC
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
236.07 грн
5+
212.94 грн
6+
168.28 грн
16+
158.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247AC(1440198)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
10А(1441290)
Сопротивление в открытом состоянии
0,29Ом(1492417)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
179Вт(1741798)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
62нC(1479423)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
32А(1789198)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N THT SIHG17N80AE-GE3
VISHAY
Артикул: 780410
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10А; Idm: 32А; 179Вт; TO247AC
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
236.07 грн
5+
212.94 грн
6+
168.28 грн
16+
158.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO247AC
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
10А
Сопротивление в открытом состоянии
0,29Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
179Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
62нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
32А
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g