0 0 0
  8. SIHH068N60E-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHH068N60E-T1-GE3

 
SIHH068N60E-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778514
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 22А; Idm: 100А; 202Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
696.96 грн
2+
508.03 грн
5+
507.24 грн
6+
480.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 8x8L(1737200)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
22А(1441302)
Сопротивление в открытом состоянии
68мОм(1609782)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
202Вт(1942535)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
80нC(1479275)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
100А(1758515)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHH068N60E-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778514
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 22А; Idm: 100А; 202Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
696.96 грн
2+
508.03 грн
5+
507.24 грн
6+
480.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
22А
Сопротивление в открытом состоянии
68мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
202Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
80нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g