0 0 0
  8. SIHH26N60E-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHH26N60E-T1-GE3

 
SIHH26N60E-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778559
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; Idm: 50А; 202Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
444.14 грн
4+
319.40 грн
9+
301.92 грн
500+
296.36 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 8x8L(1737200)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
16А(1441522)
Сопротивление в открытом состоянии
135мОм(1628418)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
202Вт(1942535)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
116нC(1609972)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
50А(1758516)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHH26N60E-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778559
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; Idm: 50А; 202Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
444.14 грн
4+
319.40 грн
9+
301.92 грн
500+
296.36 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
16А
Сопротивление в открытом состоянии
135мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
202Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
116нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
50А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g