0 0 0
  8. SIHL530STRR-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHL530STRR-GE3

 
SIHL530STRR-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778570
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 11А; Idm: 60А; 88Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
73.10 грн
5+
65.95 грн
19+
52.44 грн
52+
50.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
11А(1479209)
Сопротивление в открытом состоянии
0,22Ом(1702962)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
88Вт(1741738)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
28нC(1479173)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
60А(1741654)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHL530STRR-GE3
VISHAY
Артикул: 778570
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 11А; Idm: 60А; 88Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
73.10 грн
5+
65.95 грн
19+
52.44 грн
52+
50.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
11А
Сопротивление в открытом состоянии
0,22Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
88Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
28нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
60А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g