0 0 0
  8. SIJ150DP-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIJ150DP-T1-GE3

 
SIJ150DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847035
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 110А; Idm: 300А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
54.82 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
45В(1441651)
Ток стока
110А(1479508)
Сопротивление в открытом состоянии
4,1мОм(1479546)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
65,7Вт(1986240)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
70нC(1479303)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
300А(1714520)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIJ150DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 847035
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 110А; Idm: 300А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
54.82 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
45В
Ток стока
110А
Сопротивление в открытом состоянии
4,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
65,7Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
70нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
300А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g