0 0 0
  8. SIR403EDP-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SIR403EDP-T1-GE3

 
SIR403EDP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842593
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -40А; Idm: -60А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
36.95 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-40А(1478950)
Сопротивление в открытом состоянии
11,5мОм(1599561)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
56,8Вт(1741949)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
153нC(1712989)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-60А(1811034)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SIR403EDP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 842593
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -40А; Idm: -60А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
36.95 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-40А
Сопротивление в открытом состоянии
11,5мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
56,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
153нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-60А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g