0 0 0
  8. SIR5708DP-T1-RE3

Транзисторы с каналом N SMD SIR5708DP-T1-RE3

 
SIR5708DP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 846992
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 33,8А; Idm: 80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
65.15 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
150В(1441538)
Ток стока
33,8А(1960050)
Сопротивление в открытом состоянии
27мОм(1479328)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
65,7Вт(1986240)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
20нC(1479267)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIR5708DP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 846992
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 33,8А; Idm: 80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
65.15 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
150В
Ток стока
33,8А
Сопротивление в открытом состоянии
27мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
65,7Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
20нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g