0 0 0
  8. SIR876BDP-T1-RE3

Транзисторы с каналом N SMD SIR876BDP-T1-RE3

 
SIR876BDP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 846974
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 51,4А; Idm: 120А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
54.04 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
51,4А(1985924)
Сопротивление в открытом состоянии
12,3мОм(1501024)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
71,4Вт(1951989)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
65нC(1479501)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
120А(1741681)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIR876BDP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 846974
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 51,4А; Idm: 120А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
54.04 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
51,4А
Сопротивление в открытом состоянии
12,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
71,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
65нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
120А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g