0 0 0
  8. SIRA20DP-T1-RE3

Транзисторы с каналом N SMD SIRA20DP-T1-RE3

 
SIRA20DP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 778465
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 100А; Idm: 500А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
135.05 грн
5+
121.62 грн
11+
97.14 грн
29+
91.61 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
25В(1441346)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
820мкОм(1960061)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
66,6Вт(1811055)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
200нC(1479291)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-12...16В(1979763)
Ток стока в импульсном режиме
500А(1714522)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIRA20DP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 778465
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 100А; Idm: 500А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
135.05 грн
5+
121.62 грн
11+
97.14 грн
29+
91.61 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
25В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
820мкОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
66,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
200нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-12...16В
Ток стока в импульсном режиме
500А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g