0 0 0
  8. SIRA84BDP-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIRA84BDP-T1-GE3

 
SIRA84BDP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778454
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 56А; Idm: 150А; 23Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.12 грн
25+
20.85 грн
61+
16.69 грн
165+
15.73 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
56А(1479382)
Сопротивление в открытом состоянии
7,1мОм(1632955)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
23Вт(1507402)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
32нC(1479130)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-16...20В(1979872)
Ток стока в импульсном режиме
150А(1758586)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIRA84BDP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778454
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 56А; Idm: 150А; 23Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.12 грн
25+
20.85 грн
61+
16.69 грн
165+
15.73 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
56А
Сопротивление в открытом состоянии
7,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
23Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
32нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Ток стока в импульсном режиме
150А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g