0 0 0
  8. SIS822DNT-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIS822DNT-T1-GE3

 
SIS822DNT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778615
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
16.69 грн
25+
15.10 грн
85+
12.08 грн
230+
11.36 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
12А(1441370)
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм(1441278)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
10Вт(1449554)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
12нC(1479115)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
30А(1741680)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIS822DNT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778615
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
16.69 грн
25+
15.10 грн
85+
12.08 грн
230+
11.36 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
12А
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
10Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
12нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
30А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g