0 0 0
  8. SISH472DN-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SISH472DN-T1-GE3

 
SISH472DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778523
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 50А; 18Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.00 грн
5+
36.86 грн
25+
33.05 грн
38+
26.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
20А(1441300)
Сопротивление в открытом состоянии
12,4мОм(1599742)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
18Вт(1449533)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
30нC(1479265)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
50А(1758516)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SISH472DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778523
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 50А; 18Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.00 грн
5+
36.86 грн
25+
33.05 грн
38+
26.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
20А
Сопротивление в открытом состоянии
12,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
18Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
30нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
50А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g