Транзисторы многоканальные SIZF906ADT-T1-GE3

 
SIZF906ADT-T1-GE3
 
Артикул: 846932
Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
70.22 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
60А(1441312)
Сопротивление в открытом состоянии
5,3/1,58мОм(1986028)
Тип транзистора
N-MOSFET x2 + Schottky(1811165)
Рассеиваемая мощность
38/83Вт(1986027)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
49/200нC(1986029)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
80...100А(1942296)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные SIZF906ADT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846932
Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3000+
70.22 грн
Мин. заказ: 3000
Кратность:  3000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
60А
Сопротивление в открытом состоянии
5,3/1,58мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2 + Schottky
Рассеиваемая мощность
38/83Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
49/200нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
80...100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g