Транзисторы с каналом N SMD SQ2318AES-T1_GE3

 
SQ2318AES-T1_GE3
 
Артикул: 077423
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 4,6А; 1Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
41.32 грн
10+
33.53 грн
50+
27.17 грн
56+
17.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1149 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
4,6А(1479139)
Сопротивление в открытом состоянии
31мОм(1479141)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
8,7нC(1479416)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,023 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SQ2318AES-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 077423
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 4,6А; 1Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
41.32 грн
10+
33.53 грн
50+
27.17 грн
56+
17.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1149 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
4,6А
Сопротивление в открытом состоянии
31мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
8,7нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,023 g