0 0 0
  8. SQ2362ES-T1_GE3

Транзисторы с каналом N SMD SQ2362ES-T1_GE3

 
SQ2362ES-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 947618
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4,3А; Idm: 17А; 1Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.80 грн
10+
50.30 грн
25+
44.02 грн
54+
18.27 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2367 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
4,3А(1441593)
Сопротивление в открытом состоянии
147мОм(1801404)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
12нC(1479115)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
17А(1811009)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,022 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SQ2362ES-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 947618
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4,3А; Idm: 17А; 1Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.80 грн
10+
50.30 грн
25+
44.02 грн
54+
18.27 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2367 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
4,3А
Сопротивление в открытом состоянии
147мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
12нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
17А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,022 g