0 0 0
  8. SQD30N05-20L_GE3

Транзисторы с каналом N SMD SQD30N05-20L_GE3

 
SQD30N05-20L_GE3
 
VISHAY
Артикул: 846962
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 55В; 30А; Idm: 120А; 50Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
2000+
59.59 грн
Мин. заказ: 2000
Кратность:  2000
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
55В(1441361)
Ток стока
30А(1441514)
Сопротивление в открытом состоянии
43мОм(1479149)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
50Вт(1520816)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
18нC(1479041)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
120А(1741681)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SQD30N05-20L_GE3
VISHAY
Артикул: 846962
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 55В; 30А; Idm: 120А; 50Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
2000+
59.59 грн
Мин. заказ: 2000
Кратность:  2000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
55В
Ток стока
30А
Сопротивление в открытом состоянии
43мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
50Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
18нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
120А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g