0 0 0
  8. SQS401EN-T1_GE3

Транзисторы с каналом P SMD SQS401EN-T1_GE3

 
SQS401EN-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 405912
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -16А; Idm: -64А; 20Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.15 грн
5+
46.68 грн
25+
40.80 грн
28+
36.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напряжение сток-исток
-40В(1441467)
Ток стока
-16А(1478990)
Сопротивление в открытом состоянии
51мОм(1596107)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
20Вт(1618043)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
21,2нC(1811077)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-64А(1811076)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SQS401EN-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 405912
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -16А; Idm: -64А; 20Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.15 грн
5+
46.68 грн
25+
40.80 грн
28+
36.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напряжение сток-исток
-40В
Ток стока
-16А
Сопротивление в открытом состоянии
51мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
20Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
21,2нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-64А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g