0 0 0
  8. C3M0065090J

Транзисторы с каналом N SMD C3M0065090J

 
C3M0065090J
 
Wolfspeed(CREE)
Артикул: 075852
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 35А; 113Вт; D2PAK-7; 16нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 051.90 грн
3+
995.19 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 69 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
Wolfspeed(CREE)(1214)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK-7(1479506)
Время готовности
16нс(1497112)
Напряжение сток-исток
900В(1441403)
Ток стока
35А(1441492)
Сопротивление в открытом состоянии
78мОм(1479284)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
113Вт(1740787)
Полярность
полевой(1441242)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
30,4нC(1607618)
Технология
SiC(1591568) C3M™(1667437)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-8...19В(1981127)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,37 g
 
Транзисторы с каналом N SMD C3M0065090J
Wolfspeed(CREE)
Артикул: 075852
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 35А; 113Вт; D2PAK-7; 16нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 051.90 грн
3+
995.19 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 69 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
Wolfspeed(CREE)
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK-7
Время готовности
16нс
Напряжение сток-исток
900В
Ток стока
35А
Сопротивление в открытом состоянии
78мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
113Вт
Полярность
полевой
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
30,4нC
Технология
SiC
Технология
C3M™
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-8...19В
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,37 g