Модули IGBT MG10P12P2

 
MG10P12P2
 
Артикул: 578222
Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 10А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 226.96 грн
3+
1 160.07 грн
10+
1 151.41 грн
36+
1 115.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY(1317)
Корпус
P2(1931892)
Обратное напряжение макс.
1,2кВ(1440237)
Конструкция диода
диод/транзистор(1612509)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
10А(1440949)
Ток коллектора в импульсе
20А(1645259)
Применение
двигатели(1492838) инвертор(1612514)
Электрический монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Топология
booster(1712523) термистор NTC(1612513) полумост IGBT x3(1612512) 3-фазный диодный мост(1612510)
Дополнительная информация: Масса брутто: 25 g
 
Модули IGBT MG10P12P2
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 578222
Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 10А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 226.96 грн
3+
1 160.07 грн
10+
1 151.41 грн
36+
1 115.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY
Корпус
P2
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Конструкция диода
диод/транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
10А
Ток коллектора в импульсе
20А
Применение
двигатели
Применение
инвертор
Электрический монтаж
Press-in PCB
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Топология
booster
Топология
термистор NTC
Топология
полумост IGBT x3
Топология
3-фазный диодный мост
Дополнительная информация: Масса брутто: 25 g