Модули IGBT MG35P12P3

 
MG35P12P3
 
Артикул: 578225
Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 555.03 грн
2+
2 415.92 грн
10+
2 393.51 грн
24+
2 323.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY(1317)
Корпус
P3(1931893)
Обратное напряжение макс.
1,2кВ(1440237)
Конструкция диода
диод/транзистор(1612509)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
35А(1500592)
Ток коллектора в импульсе
70А(1733708)
Применение
двигатели(1492838) инвертор(1612514)
Электрический монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Топология
booster(1712523) термистор NTC(1612513) полумост IGBT x3(1612512) 3-фазный диодный мост(1612510)
Дополнительная информация: Масса брутто: 45 g
 
Модули IGBT MG35P12P3
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 578225
Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 555.03 грн
2+
2 415.92 грн
10+
2 393.51 грн
24+
2 323.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY
Корпус
P3
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Конструкция диода
диод/транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
35А
Ток коллектора в импульсе
70А
Применение
двигатели
Применение
инвертор
Электрический монтаж
Press-in PCB
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Топология
booster
Топология
термистор NTC
Топология
полумост IGBT x3
Топология
3-фазный диодный мост
Дополнительная информация: Масса брутто: 45 g