0 0 0
  8. YJB150G06AK

Транзисторы с каналом N SMD YJB150G06AK

 
YJB150G06AK
 
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 1150888
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 60В; 95А; 59Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
51.94 грн
10+
47.22 грн
25+
39.35 грн
38+
26.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY(1317)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
95А(1479477)
Сопротивление в открытом состоянии
4,8мОм(1479248)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
59Вт(1520841)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
71нC(1479435)
Технология
SPLIT GATE TRENCH(1741657)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
450А(1797078)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD YJB150G06AK
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 1150888
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 60В; 95А; 59Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
51.94 грн
10+
47.22 грн
25+
39.35 грн
38+
26.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
95А
Сопротивление в открытом состоянии
4,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
59Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
71нC
Технология
SPLIT GATE TRENCH
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
450А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g